BSM300D12P2E001 - MOSFET 2N-CH 1200V 300A

codice articolo del costruttore

BSM300D12P2E001

Numero parte interna

ABC-BSM300D12P2E001

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 1200V 300A

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

59059 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per BSM300D12P2E001

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSM300D12P2E001

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH 1200V 300A

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caratteristica FET : Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 300A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 68mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 35000pF @ 10V

Potenza - Max : 1875W

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : Module

Pacchetto dispositivo fornitore : Module

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSM30 , BSM300D

Documenti per BSM300D12P2E001

Schede tecniche : BSM300D12P2E001.pdf

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