BSM300D12P2E001 Scheda dati
Specifiche per BSM300D12P2E001
Numero parte :
BSM300D12P2E001
fabbricante :
Rohm Semiconductor
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 68mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
35000pF @ 10V
Potenza - Max :
1875W
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Chassis Mount
Pacchetto / caso :
Module
Pacchetto dispositivo fornitore :
Module
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-BSM300D12P2E001
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
59059 pezzi
Prezzo di riferimento
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