FQD13N06LTM - MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

codice articolo del costruttore

FQD13N06LTM

Numero parte interna

ABC-FQD13N06LTM

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3327653 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per FQD13N06LTM

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FQD13N06LTM

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

Serie : QFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.4nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta), 28W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D-Pak

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FQD , FQD13

Documenti per FQD13N06LTM

Schede tecniche : FQD13N06LTM.pdf

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