FQD13N06LTM Scheda dati
Specifiche per FQD13N06LTM
Numero parte :
FQD13N06LTM
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Serie :
QFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
115 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
6.4nC @ 5V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2.5W (Ta), 28W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
D-Pak
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-FQD13N06LTM
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
3327653 pezzi
Prezzo di riferimento
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