SSM6N35FE,LM - MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

codice articolo del costruttore

SSM6N35FE,LM

Numero parte interna

ABC-SSM6N35FE,LM

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

9352133 Pieces

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Specifiche per SSM6N35FE,LM

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SSM6N35FE,LM

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 180mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 9.5pF @ 3V

Potenza - Max : 150mW

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore : ES6 (1.6x1.6)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SSM6 , SSM6N3

Documenti per SSM6N35FE,LM

Schede tecniche : SSM6N35FE,LM.pdf

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