SSM6N35FE,LM Scheda dati
Specifiche per SSM6N35FE,LM
Numero parte :
SSM6N35FE,LM
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
9.5pF @ 3V
Potenza - Max :
150mW
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore :
ES6 (1.6x1.6)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-SSM6N35FE,LM
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
9352133 pezzi
Prezzo di riferimento
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