VWM200-01P - MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

codice articolo del costruttore

VWM200-01P

Numero parte interna

ABC-VWM200-01P

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

49647 Pieces

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Specifiche per VWM200-01P

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : VWM200-01P

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 210A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 430nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potenza - Max : -

temperatura di esercizio : -40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : V2-PAK

Pacchetto dispositivo fornitore : V2-PAK

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : VWM , VWM20

Documenti per VWM200-01P

Schede tecniche : VWM200-01P.pdf

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