VWM200-01P Scheda dati
Specifiche per VWM200-01P
Numero parte :
VWM200-01P
fabbricante :
IXYS
Descrizione :
MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Caratteristica FET :
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
210A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
430nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potenza - Max :
-
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto / caso :
V2-PAK
Pacchetto dispositivo fornitore :
V2-PAK
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-VWM200-01P
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
49647 pezzi
Prezzo di riferimento
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