1N8026-GA - DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

codice articolo del costruttore

1N8026-GA

Numero parte interna

ABC-1N8026-GA

fabbricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descrizione

DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

59368 Pieces

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Specifiche per 1N8026-GA

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 1N8026-GA

fabbricante : GeneSiC Semiconductor

Descrizione : DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Diodo : Silicon Carbide Schottky

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V

Corrente: media rettificata (Io) : 8A (DC)

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 2.5A

Velocità : No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F : 237pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : TO-257-3

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-257

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 250°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 1N8 , 1N80

Documenti per 1N8026-GA

Schede tecniche : 1N8026-GA.pdf

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