1N8026-GA Scheda dati
Specifiche per 1N8026-GA
Numero parte :
1N8026-GA
fabbricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrizione :
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Diodo :
Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200V
Corrente: media rettificata (Io) :
8A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.6V @ 2.5A
Velocità :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
10µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F :
237pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto / caso :
TO-257-3
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-257
Temperatura operativa - Giunzione :
-55°C ~ 250°C
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-1N8026-GA
fabbricante
Breve descrizione
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
59368 pezzi
Prezzo di riferimento
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