PSMN8R5-108ESQ - MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

codice articolo del costruttore

PSMN8R5-108ESQ

Numero parte interna

ABC-PSMN8R5-108ESQ

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

46150 Pieces

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Specifiche per PSMN8R5-108ESQ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PSMN8R5-108ESQ

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 108V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tj)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 111nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5512pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 263W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : I2PAK

Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PSMN , PSMN8R5

Documenti per PSMN8R5-108ESQ

Schede tecniche : PSMN8R5-108ESQ.pdf

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