PSMN8R5-108ESQ Scheda dati
Specifiche per PSMN8R5-108ESQ
Numero parte :
PSMN8R5-108ESQ
fabbricante :
NXP USA Inc.
Descrizione :
MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
108V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
111nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
5512pF @ 50V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
263W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
I2PAK
Pacchetto / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-PSMN8R5-108ESQ
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
46150 pezzi
Prezzo di riferimento
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