FDP8D5N10C - FET ENGR DEV-NOT REL

codice articolo del costruttore

FDP8D5N10C

Numero parte interna

ABC-FDP8D5N10C

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

FET ENGR DEV-NOT REL

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

279020 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per FDP8D5N10C

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDP8D5N10C

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : FET ENGR DEV-NOT REL

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 76A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 76A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 130µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2475pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.4W (Ta), 107W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220-3

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDP , FDP8D

Documenti per FDP8D5N10C

Schede tecniche : FDP8D5N10C.pdf

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