FDP8D5N10C Scheda dati
Specifiche per FDP8D5N10C
Numero parte :
FDP8D5N10C
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
FET ENGR DEV-NOT REL
Serie :
PowerTrench®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
76A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
2475pF @ 50V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2.4W (Ta), 107W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-220-3
Pacchetto / caso :
TO-220-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-FDP8D5N10C
fabbricante
Breve descrizione
FET ENGR DEV-NOT REL
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
279020 pezzi
Prezzo di riferimento
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