SSM3K318R,LF - MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

codice articolo del costruttore

SSM3K318R,LF

Numero parte interna

ABC-SSM3K318R,LF

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

5667956 Pieces

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Specifiche per SSM3K318R,LF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SSM3K318R,LF

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

Serie : U-MOSIV

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 107 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 235pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1W (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23F

Pacchetto / caso : SOT-23-3 Flat Leads

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SSM3 , SSM3K3

Documenti per SSM3K318R,LF

Schede tecniche : SSM3K318R,LF.pdf

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