SSM3K318R,LF Scheda dati
Specifiche per SSM3K318R,LF
Numero parte :
SSM3K318R,LF
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Serie :
U-MOSIV
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
2.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
107 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
235pF @ 30V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1W (Ta)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
SOT-23F
Pacchetto / caso :
SOT-23-3 Flat Leads
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-SSM3K318R,LF
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
5667956 pezzi
Prezzo di riferimento
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