SI8900EDB-T2-E1 - MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

codice articolo del costruttore

SI8900EDB-T2-E1

Numero parte interna

ABC-SI8900EDB-T2-E1

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

380758 Pieces

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Specifiche per SI8900EDB-T2-E1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI8900EDB-T2-E1

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1.1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potenza - Max : 1W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 10-UFBGA, CSPBGA

Pacchetto dispositivo fornitore : 10-Micro Foot™ CSP (2x5)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI890 , SI8900E

Documenti per SI8900EDB-T2-E1

Schede tecniche : SI8900EDB-T2-E1.pdf

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