SI8900EDB-T2-E1 Scheda dati
Specifiche per SI8900EDB-T2-E1
Numero parte :
SI8900EDB-T2-E1
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1.1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potenza - Max :
1W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
10-UFBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo fornitore :
10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-SI8900EDB-T2-E1
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
380758 pezzi
Prezzo di riferimento
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