ZXMN3AM832TA - MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

codice articolo del costruttore

ZXMN3AM832TA

Numero parte interna

ABC-ZXMN3AM832TA

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

47918 Pieces

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Specifiche per ZXMN3AM832TA

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : ZXMN3AM832TA

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 190pF @ 25V

Potenza - Max : 1.13W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-MLP (3x2)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : ZXMN , ZXMN3A

Documenti per ZXMN3AM832TA

Schede tecniche : ZXMN3AM832TA.pdf

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