RJK03M5DNS-00#J5 - MOSFET N-CH 30V 25A HWSON

codice articolo del costruttore

RJK03M5DNS-00#J5

Numero parte interna

ABC-RJK03M5DNS-00#J5

fabbricante

Renesas Electronics America

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 25A HWSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1585101 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per RJK03M5DNS-00#J5

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RJK03M5DNS-00#J5

fabbricante : Renesas Electronics America

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 25A HWSON

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 25A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.3 mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10.4nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1890pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 15W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-HWSON (3.3x3.3)

Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RJK03 , RJK03M5D

Documenti per RJK03M5DNS-00#J5

Schede tecniche : RJK03M5DNS-00#J5.pdf

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