TSM60NB190CI C0G - MOSFET N-CH 600V 18A ITO220

codice articolo del costruttore

TSM60NB190CI C0G

Numero parte interna

ABC-TSM60NB190CI C0G

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 18A ITO220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

229691 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 1.425~~

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Specifiche per TSM60NB190CI C0G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TSM60NB190CI C0G

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 18A ITO220

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1273pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 33.8W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : ITO-220AB

Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TSM60 , TSM60NB1

Documenti per TSM60NB190CI C0G

Schede tecniche : TSM60NB190CI C0G.pdf

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