FQB4N80TM - MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK

codice articolo del costruttore

FQB4N80TM

Numero parte interna

ABC-FQB4N80TM

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

720629 Pieces

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Specifiche per FQB4N80TM

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FQB4N80TM

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK

Serie : QFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.9A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 Ohm @ 1.95A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 880pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.13W (Ta), 130W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FQB , FQB4

Documenti per FQB4N80TM

Schede tecniche : FQB4N80TM.pdf

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