SIZF300DT-T1-GE3 - MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

codice articolo del costruttore

SIZF300DT-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIZF300DT-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1164646 Pieces

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Specifiche per SIZF300DT-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIZF300DT-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

Serie : TrenchFET® Gen IV

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 10A, 10V, 1.84 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V, 62nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V

Potenza - Max : 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PowerPair® (6x5)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIZF3 , SIZF300D

Documenti per SIZF300DT-T1-GE3

Schede tecniche : SIZF300DT-T1-GE3.pdf

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