NVMFD5C650NLT1G - MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

codice articolo del costruttore

NVMFD5C650NLT1G

Numero parte interna

ABC-NVMFD5C650NLT1G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

576450 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per NVMFD5C650NLT1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NVMFD5C650NLT1G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 21A (Ta), 111A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 98µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2546pF @ 25V

Potenza - Max : 3.5W (Ta), 125W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NVMFD , NVMFD5C

Documenti per NVMFD5C650NLT1G

Schede tecniche : NVMFD5C650NLT1G.pdf

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