IXTD2N60P-1J - MOSFET N-CH 600

codice articolo del costruttore

IXTD2N60P-1J

Numero parte interna

ABC-IXTD2N60P-1J

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

42601 Pieces

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Specifiche per IXTD2N60P-1J

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXTD2N60P-1J

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 600

Serie : PolarHV™

Stato parte : Last Time Buy

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.1 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 240pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 56W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : Die

Pacchetto / caso : Die

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXTD , IXTD2N

Documenti per IXTD2N60P-1J

Schede tecniche : IXTD2N60P-1J.pdf

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