FDG6303N_G - INTEGRATED CIRCUIT

codice articolo del costruttore

FDG6303N_G

Numero parte interna

ABC-FDG6303N_G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

INTEGRATED CIRCUIT

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

53846 Pieces

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Specifiche per FDG6303N_G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDG6303N_G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : INTEGRATED CIRCUIT

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 10V

Potenza - Max : 300mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore : SC-88 (SC-70-6)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDG , FDG63

Documenti per FDG6303N_G

Schede tecniche : FDG6303N_G.pdf

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