UG06BHA0G - DIODE GEN PURP 100V 600MA TS-1

codice articolo del costruttore

UG06BHA0G

Numero parte interna

ABC-UG06BHA0G

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 100V 600MA TS-1

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6019762 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per UG06BHA0G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : UG06BHA0G

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : DIODE GEN PURP 100V 600MA TS-1

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V

Corrente: media rettificata (Io) : 600mA

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 600mA

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 15ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F : 9pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : T-18, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore : TS-1

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : UG0 , UG06

Documenti per UG06BHA0G

Schede tecniche : UG06BHA0G.pdf

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