1N4446 TR - DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

codice articolo del costruttore

1N4446 TR

Numero parte interna

ABC-1N4446 TR

fabbricante

Central Semiconductor Corp

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

41431 Pieces

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Specifiche per 1N4446 TR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 1N4446 TR

fabbricante : Central Semiconductor Corp

Descrizione : DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V

Corrente: media rettificata (Io) : 150mA

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1V @ 20mA

Velocità : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr) : 4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 25nA @ 20V

Capacità @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : DO-204AH, DO-35, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-35

Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 200°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per 1N4446 TR

Schede tecniche : 1N4446 TR.pdf

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