MMIX1F180N25T - MOSFET N-CH 250V 130A SMPD

codice articolo del costruttore

MMIX1F180N25T

Numero parte interna

ABC-MMIX1F180N25T

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 250V 130A SMPD

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

92224 Pieces

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Specifiche per MMIX1F180N25T

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : MMIX1F180N25T

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 250V 130A SMPD

Serie : GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 132A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 364nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 23800pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 570W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 24-SMPD

Pacchetto / caso : 24-PowerSMD, 21 Leads

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : MMIX , MMIX1F

Documenti per MMIX1F180N25T

Schede tecniche : MMIX1F180N25T.pdf

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