SIA814DJ-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

codice articolo del costruttore

SIA814DJ-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIA814DJ-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

42942 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0~~

Il nostro prezzo

- (Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore: [email protected])

ABC Semiconductor ha SIA814DJ-T1-GE3 in magazzino per la vendita. Possiamo spedire entro 1-2 giorni. Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore per SIA814DJ-T1-GE3. La nostra email: [email protected]

Opzioni di spedizione e tempi di spedizione:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opzioni di pagamento:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Specifiche per SIA814DJ-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIA814DJ-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

Serie : LITTLE FOOT®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 61 mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 340pF @ 10V

Caratteristica FET : Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max) : 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Pacchetto / caso : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIA81 , SIA814D

Documenti per SIA814DJ-T1-GE3

Schede tecniche : SIA814DJ-T1-GE3.pdf

Prodotti correlati per SIA814DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Numero parte	Marca	Descrizione
C917U520JYSDAAWL45	KEMET	Ceramic Capacitors 52PF 400VAC SL RADIAL.
WF135285WP50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 20KV SCREW.
WF135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 20KV SCREW.
GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	Ceramic Capacitors 8.1PF 25V NP0 0402.
WF135272WL60238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 16KV SCREW.
TF170279BQ50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 25KV R85.
WI085444WN84236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 8400PF 18KV.
WF135373BQ50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 25KV SCREW.
WF135242BQ25236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2500PF 25KV SCREW.
CDR01BX102BKZSAT	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 1000PF 100V 10 BX 0805.
WF110250WJ47238BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4700PF 14KV SCREW.
WF135285WP50233BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 20KV SCREW.
PEF220WH10338BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 13KV R230 DISK.
BZ080110WV25036CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 25PF 30KV.
WI140266WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 14KV SCREW.
PZ0140WL10138CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 100PF 16KV DISK.
BZ114096WZ10248BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1000PF 40KV.
PEF220BJ80238BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 8000PF 15KV R230 DISK.
WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 16KV SCREW.
WF165278WP60238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 20KV SCREW.