PMN23UN,165 - MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP

codice articolo del costruttore

PMN23UN,165

Numero parte interna

ABC-PMN23UN,165

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

99976 Pieces

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Specifiche per PMN23UN,165

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PMN23UN,165

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP

Serie : TrenchMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.3A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10.6nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 740pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.75W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-TSOP

Pacchetto / caso : SC-74, SOT-457

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PMN , PMN23

Documenti per PMN23UN,165

Schede tecniche : PMN23UN,165.pdf

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