VS-10ETF10S-M3 - DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK

codice articolo del costruttore

VS-10ETF10S-M3

Numero parte interna

ABC-VS-10ETF10S-M3

fabbricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

657342 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.49795~~

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Specifiche per VS-10ETF10S-M3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : VS-10ETF10S-M3

fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrizione : DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1000V

Corrente: media rettificata (Io) : 10A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.33V @ 10A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 310ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 100µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK

Temperatura operativa - Giunzione : -40°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : VS-1 , VS-10ET

Documenti per VS-10ETF10S-M3

Schede tecniche : VS-10ETF10S-M3.pdf

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