HER606G B0G - DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

codice articolo del costruttore

HER606G B0G

Numero parte interna

ABC-HER606G B0G

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2924894 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per HER606G B0G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : HER606G B0G

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 6A R-6

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente: media rettificata (Io) : 6A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 6A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F : 65pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : R6, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore : R-6

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : HER , HER60

Documenti per HER606G B0G

Schede tecniche : HER606G B0G.pdf

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