IRLR3636TRLPBF - MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

codice articolo del costruttore

IRLR3636TRLPBF

Numero parte interna

ABC-IRLR3636TRLPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

845649 Pieces

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Specifiche per IRLR3636TRLPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRLR3636TRLPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

Serie : HEXFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.8 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3779pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 143W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D-Pak

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRLR , IRLR363

Documenti per IRLR3636TRLPBF

Schede tecniche : IRLR3636TRLPBF.pdf

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