IRF9Z34NSPBF - MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

codice articolo del costruttore

IRF9Z34NSPBF

Numero parte interna

ABC-IRF9Z34NSPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

108720 Pieces

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Specifiche per IRF9Z34NSPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF9Z34NSPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

Serie : HEXFET®

Stato parte : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 620pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.8W (Ta), 68W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF9 , IRF9Z3

Documenti per IRF9Z34NSPBF

Schede tecniche : IRF9Z34NSPBF.pdf

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