VS-SD303C08S10C - DIODE GEN PURP 800V 350A DO200AA

codice articolo del costruttore

VS-SD303C08S10C

Numero parte interna

ABC-VS-SD303C08S10C

fabbricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 800V 350A DO200AA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

51200 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 29.199165~~

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Specifiche per VS-SD303C08S10C

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : VS-SD303C08S10C

fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrizione : DIODE GEN PURP 800V 350A DO200AA

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V

Corrente: media rettificata (Io) : 350A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 2.26V @ 1100A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 1µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 35mA @ 800V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Clamp On

Pacchetto / caso : DO-200AA, A-PUK

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-200AA, A-PUK

Temperatura operativa - Giunzione : -

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : VS-SD , VS-SD30

Documenti per VS-SD303C08S10C

Schede tecniche : VS-SD303C08S10C.pdf

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