STD1HN60K3 - MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK

codice articolo del costruttore

STD1HN60K3

Numero parte interna

ABC-STD1HN60K3

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1274105 Pieces

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Specifiche per STD1HN60K3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STD1HN60K3

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK

Serie : SuperMESH3™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.2A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9.5nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 27W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per STD1HN60K3

Schede tecniche : STD1HN60K3.pdf

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