SISH106DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

codice articolo del costruttore

SISH106DN-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SISH106DN-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

804776 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.40672~~

Il nostro prezzo

- (Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore: [email protected])

ABC Semiconductor ha SISH106DN-T1-GE3 in magazzino per la vendita. Possiamo spedire entro 1-2 giorni. Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore per SISH106DN-T1-GE3. La nostra email: [email protected]

Opzioni di spedizione e tempi di spedizione:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opzioni di pagamento:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Specifiche per SISH106DN-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SISH106DN-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12.5A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.5W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8SH

Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8SH

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SISH1 , SISH106D

Documenti per SISH106DN-T1-GE3

Schede tecniche : SISH106DN-T1-GE3.pdf

Prodotti correlati per SISH106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Numero parte	Marca	Descrizione
WF135373BQ50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 25KV SCREW.
PEF220WH10338BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 13KV R230 DISK.
WF125420WN76238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7600PF 18KV SCREW.
PEF220WP60236BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 20KV R230 DISK.
WF125300WJ76238BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7600PF 14KV SCREW.
WF165278WP60238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 6000PF 20KV SCREW.
CDR35BP103BKUSAR	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 10000PF 100V BP 1825.
WX095162WJ25236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2500PF 14KV SCREW.
C917U520JYSDAAWL45	KEMET	Ceramic Capacitors 52PF 400VAC SL RADIAL.
WI085444WN84236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 8400PF 18KV.
MC04YC223KAA	AVX Corporation	Ceramic Capacitors 0.022UF 16V X7R AXIAL.
WF095220WF50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 12KV SCREW.
TF170279BQ50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 25KV R85.
WF125300WJ76238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7600PF 14KV SCREW.
BZ114096WZ10238BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1000PF 40KV AXIAL.
PEF220WH10336BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 13KV R230 DISK.
WF110250WJ50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 14KV SCREW.
TF170311WW40236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 32KV R85.
WF135250WL50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 16KV SCREW.
GRM0225C1E5R6DDAEL	Murata Electronics North America	Ceramic Capacitors 5.6PF 25V C0G/NP0 01005.