CRG05(TE85L,Q,M) - DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT

codice articolo del costruttore

CRG05(TE85L,Q,M)

Numero parte interna

ABC-CRG05(TE85L,Q,M)

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6612620 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.0495~~

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Specifiche per CRG05(TE85L,Q,M)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CRG05(TE85L,Q,M)

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V

Corrente: media rettificata (Io) : 1A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 1A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 800V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOD-123F

Pacchetto dispositivo fornitore : S-FLAT (1.6x3.5)

Temperatura operativa - Giunzione : -40°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : CRG05 , CRG05(TE

Documenti per CRG05(TE85L,Q,M)

Schede tecniche : CRG05(TE85L,Q,M).pdf

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