DMP2010UFG-7 - MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333

codice articolo del costruttore

DMP2010UFG-7

Numero parte interna

ABC-DMP2010UFG-7

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

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1736693 Pieces

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Specifiche per DMP2010UFG-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMP2010UFG-7

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12.7A (Ta), 42A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 103nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3350pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 900mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerDI3333-8

Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMP2 , DMP201

Documenti per DMP2010UFG-7

Schede tecniche : DMP2010UFG-7.pdf

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