IRG7CH50K10EF - IGBT CHIP WAFER

codice articolo del costruttore

IRG7CH50K10EF

Numero parte interna

ABC-IRG7CH50K10EF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

IGBT CHIP WAFER

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

175656 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 2.12958~~

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Specifiche per IRG7CH50K10EF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRG7CH50K10EF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : IGBT CHIP WAFER

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo IGBT : Trench Field Stop

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 35A

Corrente - Collector Pulsed (Icm) : -

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 25A

Potenza - Max : -

Cambiare energia : -

Tipo di input : Standard

Carica del cancello : 170nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C : 50ns/280ns

Condizione di test : 600V, 35A, 10 Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr) : -

temperatura di esercizio : -40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : Die

Pacchetto dispositivo fornitore : Die

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRG7 , IRG7CH

Documenti per IRG7CH50K10EF

Schede tecniche : IRG7CH50K10EF.pdf

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