STS3P6F6 - MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

codice articolo del costruttore

STS3P6F6

Numero parte interna

ABC-STS3P6F6

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

50976 Pieces

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Specifiche per STS3P6F6

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STS3P6F6

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

Serie : DeepGATE™, STripFET™ VI

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.4nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 340pF @ 48V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.7W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : ST , STS3

Documenti per STS3P6F6

Schede tecniche : STS3P6F6.pdf

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