70V3579S4DR - IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

codice articolo del costruttore

70V3579S4DR

Numero parte interna

ABC-70V3579S4DR

fabbricante

IDT, Integrated Device Technology Inc

Breve descrizione

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

78237 Pieces

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Specifiche per 70V3579S4DR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 70V3579S4DR

fabbricante : IDT, Integrated Device Technology Inc

Descrizione : IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo di memoria : Volatile

Formato di memoria : SRAM

Tecnologia : SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria : 1.125Mb (32K x 36)

Frequenza di clock : -

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : -

Tempo di accesso : 4.2ns

Interfaccia di memoria : Parallel

Tensione - Fornitura : 3.15V ~ 3.45V

temperatura di esercizio : 0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 208-BFQFP

Pacchetto dispositivo fornitore : 208-PQFP (28x28)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 70V , 70V35

Documenti per 70V3579S4DR

Schede tecniche : 70V3579S4DR.pdf

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