NVD5C648NLT4G - T6 60V LL DPAK

codice articolo del costruttore

NVD5C648NLT4G

Numero parte interna

ABC-NVD5C648NLT4G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

T6 60V LL DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1133265 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.28883~~

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Specifiche per NVD5C648NLT4G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NVD5C648NLT4G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : T6 60V LL DPAK

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Ta), 89A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.1W (Ta), 72W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK (SINGLE GAUGE)

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NVD5 , NVD5C6

Documenti per NVD5C648NLT4G

Schede tecniche : NVD5C648NLT4G.pdf

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