FDI045N10A - MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

codice articolo del costruttore

FDI045N10A

Numero parte interna

ABC-FDI045N10A

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

62272 Pieces

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Specifiche per FDI045N10A

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDI045N10A

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5270pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 263W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : I2PAK (TO-262)

Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per FDI045N10A

Schede tecniche : FDI045N10A.pdf

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