STH275N8F7-6AG - MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

codice articolo del costruttore

STH275N8F7-6AG

Numero parte interna

ABC-STH275N8F7-6AG

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

222586 Pieces

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Specifiche per STH275N8F7-6AG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STH275N8F7-6AG

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

Serie : Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 193nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 13600pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 315W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : H2PAK-6

Pacchetto / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : STH2 , STH275N

Documenti per STH275N8F7-6AG

Schede tecniche : STH275N8F7-6AG.pdf

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