FDB86102LZ - MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK

codice articolo del costruttore

FDB86102LZ

Numero parte interna

ABC-FDB86102LZ

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

779373 Pieces

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Specifiche per FDB86102LZ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDB86102LZ

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8.3A (Ta), 30A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1275pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.1W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-263AB

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDB , FDB86

Documenti per FDB86102LZ

Schede tecniche : FDB86102LZ.pdf

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