SQJ560EP-T1_GE3 - MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8

codice articolo del costruttore

SQJ560EP-T1_GE3

Numero parte interna

ABC-SQJ560EP-T1_GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1014937 Pieces

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Specifiche per SQJ560EP-T1_GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SQJ560EP-T1_GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N and P-Channel

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc), 18A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V, 45nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1650pF @ 25V

Potenza - Max : 34W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SO-8 Dual

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SQJ56 , SQJ560E

Documenti per SQJ560EP-T1_GE3

Schede tecniche : SQJ560EP-T1_GE3.pdf

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