GP2M004A065HG - MOSFET N-CH 650V 4A TO220

codice articolo del costruttore

GP2M004A065HG

Numero parte interna

ABC-GP2M004A065HG

fabbricante

Global Power Technologies Group

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 4A TO220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

84096 Pieces

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Specifiche per GP2M004A065HG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : GP2M004A065HG

fabbricante : Global Power Technologies Group

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 4A TO220

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 642pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 98.4W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : GP2M , GP2M00

Documenti per GP2M004A065HG

Schede tecniche : GP2M004A065HG.pdf

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