CDM22010-650 SL - MOSFET N-CH 10A 650V TO220

codice articolo del costruttore

CDM22010-650 SL

Numero parte interna

ABC-CDM22010-650 SL

fabbricante

Central Semiconductor Corp

Breve descrizione

MOSFET N-CH 10A 650V TO220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

310254 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 1.055~~

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Specifiche per CDM22010-650 SL

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CDM22010-650 SL

fabbricante : Central Semiconductor Corp

Descrizione : MOSFET N-CH 10A 650V TO220

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (massimo) : 30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1168pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2W (Ta), 156W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : CDM22 , CDM2201

Documenti per CDM22010-650 SL

Schede tecniche : CDM22010-650 SL.pdf

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